เวสเทิร์น ดิจิตอล เปิดตัวเทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์บนชิป 3D NAND ตอกย้ำความเป็นผู้นำอุตสาหกรรมการจัดเก็บข้อมูลในเซลล์แบบหลายชั้น ซึ่งพัฒนาต่อยอดจากชิป 2D NAND ที่ใช้เทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์
เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแฟลชแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (X4) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64 เลเยอร์ หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3การพัฒนาดังกล่าวต่อยอดจากนวัตกรรม X4 สำหรับเทคโนโลยีชิป 2D NAND และมุ่งสานต่อความสำเร็จในการจัดจำหน่ายเชิงพาณิชย์ ปัจจุบัน เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยี X4 เพื่อชิป 3D NAND ด้วยการใช้ประโยชน์จากการควบรวมกิจการที่มีศักยภาพสูง ทั้งกระบวนการผลิตแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ การพัฒนาวิศวกรรมเพื่อสร้างข้อมูล 16 ชั้นในทุกเครือข่ายการจัดเก็บข้อมูลและความเชี่ยวชาญด้านการจัดการระบบหน่วยความจำแฟลชในภาพรวม เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลระดับแถวหน้าของอุตสาหกรรมที่ 768 กิกะบิตต่อชิปหนึ่งตัว หรือเพิ่มขึ้นร้อยละ 50 เมื่อเทียบกับชิป 512 กิกะบิตรุ่นก่อนหน้าซึ่งใช้สถาปัตยการรมแบบ 3 บิตต่อเซลล์ (X3) ทั้งนี้ทาง เวสเทิร์น ดิจิตอล จะทำการโชว์ผลิตภัณฑ์แบบต่อพ่วงและฮาร์ดดิสก์แบบโซลิดสเตท (Solid-state drive) ที่ผลิตด้วยชิปBiCS3 X4 พร้อมกับศักยภาพต่างๆ ของระบบเหล่านี้ที่งาน "แฟลช เมมโมรี่ ซัมมิต (Flash Memory Summit)" ซึ่งจัดขึ้นที่เมืองซานตา คลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกาในเดือนสิงหาคมนี้
"การนำสถาปัตยกรรม X4 มาใช้บน BiCS3 ถือว่าเป็นการพัฒนาครั้งสำคัญของเวสเทิร์น ดิจิตอล เนื่องจากเป็นการแสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำในเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช NAND และยังช่วยให้เราสามารถเพิ่มทางเลือกด้านโซลูชั่นส์การจัดเก็บข้อมูลให้แก่ลูกค้าของเราได้" ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า "สิ่งที่น่าสนใจที่สุดของการประกาศความสำเร็จในวันนี้คือการใช้เทคนิคที่เป็นนวัตกรรมใหม่ในสถาปัตยกรรม X4 ซึ่งเอื้อให้เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 ของเรามีประสิทธิภาพเทียบเท่าชิป BiCS3 X3 การลดช่องว่างด้านประสิทธิภาพระหว่างสถาปัตกรรม X4 และ X3 ถือเป็นคุณสมบัติที่ช่วยสร้างความแตกต่างและมีความสำคัญสำหรับเรา พร้อมกับจะช่วยให้ตลาดเกิดการยอมรับเทคโนโลยี X4 อย่างกว้างขวางมากขึ้นในอีกหลายปีข้างหน้า"
ความสำเร็จครั้งล่าสุดนี้เกิดขึ้นจากมรดกแห่งความเชี่ยวชาญเกือบ 3 ทศวรรษในการเป็นผู้บุกเบิกนวัตกรรมแฟลช รวมถึงเทคโนโลยีแฟลชแบบเซลล์หลายชั้น (MLC) ซึ่งใช้เทคโนโลยีสองบิตต่อเซลล์ (X2) และสามบิตต่อเซลล์ (X3)
บริษัทฯ คาดการณ์ว่าจะเริ่มผลิตเทคโนโลยีชิป 3D NAND X4 เพื่อตอบสนองการใช้งานหลากหลายรูปแบบที่จะได้ประโยชน์จากศักยภาพที่สูงขึ้นของ X4 ทั้งนี้ เทคโนโลยีชิป 3D NAND รุ่นใหม่ในอนาคต รวมถึงชิป BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ยังถูกคาดหมายว่าจะใช้โครงสร้างแบบ X4 ที่มีประสิทธิภาพสูงด้วยเช่นกัน
เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแฟลชแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (X4) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64 เลเยอร์ หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3การพัฒนาดังกล่าวต่อยอดจากนวัตกรรม X4 สำหรับเทคโนโลยีชิป 2D NAND และมุ่งสานต่อความสำเร็จในการจัดจำหน่ายเชิงพาณิชย์ ปัจจุบัน เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยี X4 เพื่อชิป 3D NAND ด้วยการใช้ประโยชน์จากการควบรวมกิจการที่มีศักยภาพสูง ทั้งกระบวนการผลิตแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ การพัฒนาวิศวกรรมเพื่อสร้างข้อมูล 16 ชั้นในทุกเครือข่ายการจัดเก็บข้อมูลและความเชี่ยวชาญด้านการจัดการระบบหน่วยความจำแฟลชในภาพรวม เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลระดับแถวหน้าของอุตสาหกรรมที่ 768 กิกะบิตต่อชิปหนึ่งตัว หรือเพิ่มขึ้นร้อยละ 50 เมื่อเทียบกับชิป 512 กิกะบิตรุ่นก่อนหน้าซึ่งใช้สถาปัตยการรมแบบ 3 บิตต่อเซลล์ (X3) ทั้งนี้ทาง เวสเทิร์น ดิจิตอล จะทำการโชว์ผลิตภัณฑ์แบบต่อพ่วงและฮาร์ดดิสก์แบบโซลิดสเตท (Solid-state drive) ที่ผลิตด้วยชิปBiCS3 X4 พร้อมกับศักยภาพต่างๆ ของระบบเหล่านี้ที่งาน "แฟลช เมมโมรี่ ซัมมิต (Flash Memory Summit)" ซึ่งจัดขึ้นที่เมืองซานตา คลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกาในเดือนสิงหาคมนี้
"การนำสถาปัตยกรรม X4 มาใช้บน BiCS3 ถือว่าเป็นการพัฒนาครั้งสำคัญของเวสเทิร์น ดิจิตอล เนื่องจากเป็นการแสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำในเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช NAND และยังช่วยให้เราสามารถเพิ่มทางเลือกด้านโซลูชั่นส์การจัดเก็บข้อมูลให้แก่ลูกค้าของเราได้" ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า "สิ่งที่น่าสนใจที่สุดของการประกาศความสำเร็จในวันนี้คือการใช้เทคนิคที่เป็นนวัตกรรมใหม่ในสถาปัตยกรรม X4 ซึ่งเอื้อให้เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 ของเรามีประสิทธิภาพเทียบเท่าชิป BiCS3 X3 การลดช่องว่างด้านประสิทธิภาพระหว่างสถาปัตกรรม X4 และ X3 ถือเป็นคุณสมบัติที่ช่วยสร้างความแตกต่างและมีความสำคัญสำหรับเรา พร้อมกับจะช่วยให้ตลาดเกิดการยอมรับเทคโนโลยี X4 อย่างกว้างขวางมากขึ้นในอีกหลายปีข้างหน้า"
ความสำเร็จครั้งล่าสุดนี้เกิดขึ้นจากมรดกแห่งความเชี่ยวชาญเกือบ 3 ทศวรรษในการเป็นผู้บุกเบิกนวัตกรรมแฟลช รวมถึงเทคโนโลยีแฟลชแบบเซลล์หลายชั้น (MLC) ซึ่งใช้เทคโนโลยีสองบิตต่อเซลล์ (X2) และสามบิตต่อเซลล์ (X3)
บริษัทฯ คาดการณ์ว่าจะเริ่มผลิตเทคโนโลยีชิป 3D NAND X4 เพื่อตอบสนองการใช้งานหลากหลายรูปแบบที่จะได้ประโยชน์จากศักยภาพที่สูงขึ้นของ X4 ทั้งนี้ เทคโนโลยีชิป 3D NAND รุ่นใหม่ในอนาคต รวมถึงชิป BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ยังถูกคาดหมายว่าจะใช้โครงสร้างแบบ X4 ที่มีประสิทธิภาพสูงด้วยเช่นกัน
เวสเทิร์น ดิจิตอล ยกทัพ SSD แบบพกพาความจุเต็มพิกัดทุกแบรนด์ในตระกูลออกจำหน่าย
MY PASSPORT SSD แบรนด์ WD ดีไซน์ใหม่ถอดด้าม พกความเร็วมาเต็มพิกัดพร้อมเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน
เวสเทิร์น ดิจิตอล ได้รับเลือกจากสถาบัน ETHISPHERE ให้เป็นหนึ่งใน “บริษัทที่ดำเนินงานอย่างมีจริยธรรมมากที่สุดในโลกประจำปี 2563”
เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป 3D NAND รุ่นใหม่ล่าสุดภายใต้ชื่อ BiCS5 เวสเทิร์น ดิจิตอล ใช้ความก้าวหน้าด้านเทคโนโลยีและการผลิตมาพัฒนาต่อยอดชิป NAND แบบ 3 มิติ
เวสเทิร์น ดิจิตอล ยกทัพโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่ครบครันเพื่อตอบโจทย์ระบบ NAS ที่มีประสิทธิภาพ
เวสเทิร์น ดิจิตอล ส่ง WD Blue SN550 NVMe SSD ตอบโจทย์คอเทคโนโลยีด้วยความเร็วที่มากกว่า SSD SATA ถึง 4 เท่า
เวสเทิร์น ดิจิตอล จัดทัพการ์ดขนาดจิ๋วความเร็วสูง UHS-I microSD ขนาด 1 TB มาแสดงในงานไทยแลนด์ โมบาย เอ็กซ์โป
“WD Blue SSD” รุ่นใหม่ พร้อมรองรับการใช้งานบน NVMe SSD แบบ NVMe ตัวใหม่มาในรูปโฉมที่บางเฉียบมอบความเร็วที่สูงกว่าแบบ SATA ถึง 3 เท่า
เวสเทิร์น ดิจิตอล เสริมทัพผลิตภัณฑ์กลุ่ม NVMe ระดับดาต้าเซ็นเตอร์ พร้อมรองรับการทำงานบนโครงสร้างพื้นฐานแบบ Next-Gen ตั้งแต่อุปกรณ์ปลายทางไปยังดาต้าเซ็นเตอร์