เวสเทิร์น ดิจิตอล เปิดตัวเทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์บนชิป 3D NAND ตอกย้ำความเป็นผู้นำอุตสาหกรรมการจัดเก็บข้อมูลในเซลล์แบบหลายชั้น ซึ่งพัฒนาต่อยอดจากชิป 2D NAND ที่ใช้เทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์
เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแฟลชแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (X4) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64 เลเยอร์ หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3การพัฒนาดังกล่าวต่อยอดจากนวัตกรรม X4 สำหรับเทคโนโลยีชิป 2D NAND และมุ่งสานต่อความสำเร็จในการจัดจำหน่ายเชิงพาณิชย์ ปัจจุบัน เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยี X4 เพื่อชิป 3D NAND ด้วยการใช้ประโยชน์จากการควบรวมกิจการที่มีศักยภาพสูง ทั้งกระบวนการผลิตแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ การพัฒนาวิศวกรรมเพื่อสร้างข้อมูล 16 ชั้นในทุกเครือข่ายการจัดเก็บข้อมูลและความเชี่ยวชาญด้านการจัดการระบบหน่วยความจำแฟลชในภาพรวม เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลระดับแถวหน้าของอุตสาหกรรมที่ 768 กิกะบิตต่อชิปหนึ่งตัว หรือเพิ่มขึ้นร้อยละ 50 เมื่อเทียบกับชิป 512 กิกะบิตรุ่นก่อนหน้าซึ่งใช้สถาปัตยการรมแบบ 3 บิตต่อเซลล์ (X3) ทั้งนี้ทาง เวสเทิร์น ดิจิตอล จะทำการโชว์ผลิตภัณฑ์แบบต่อพ่วงและฮาร์ดดิสก์แบบโซลิดสเตท (Solid-state drive) ที่ผลิตด้วยชิปBiCS3 X4 พร้อมกับศักยภาพต่างๆ ของระบบเหล่านี้ที่งาน "แฟลช เมมโมรี่ ซัมมิต (Flash Memory Summit)" ซึ่งจัดขึ้นที่เมืองซานตา คลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกาในเดือนสิงหาคมนี้
"การนำสถาปัตยกรรม X4 มาใช้บน BiCS3 ถือว่าเป็นการพัฒนาครั้งสำคัญของเวสเทิร์น ดิจิตอล เนื่องจากเป็นการแสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำในเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช NAND และยังช่วยให้เราสามารถเพิ่มทางเลือกด้านโซลูชั่นส์การจัดเก็บข้อมูลให้แก่ลูกค้าของเราได้" ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า "สิ่งที่น่าสนใจที่สุดของการประกาศความสำเร็จในวันนี้คือการใช้เทคนิคที่เป็นนวัตกรรมใหม่ในสถาปัตยกรรม X4 ซึ่งเอื้อให้เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 ของเรามีประสิทธิภาพเทียบเท่าชิป BiCS3 X3 การลดช่องว่างด้านประสิทธิภาพระหว่างสถาปัตกรรม X4 และ X3 ถือเป็นคุณสมบัติที่ช่วยสร้างความแตกต่างและมีความสำคัญสำหรับเรา พร้อมกับจะช่วยให้ตลาดเกิดการยอมรับเทคโนโลยี X4 อย่างกว้างขวางมากขึ้นในอีกหลายปีข้างหน้า"
ความสำเร็จครั้งล่าสุดนี้เกิดขึ้นจากมรดกแห่งความเชี่ยวชาญเกือบ 3 ทศวรรษในการเป็นผู้บุกเบิกนวัตกรรมแฟลช รวมถึงเทคโนโลยีแฟลชแบบเซลล์หลายชั้น (MLC) ซึ่งใช้เทคโนโลยีสองบิตต่อเซลล์ (X2) และสามบิตต่อเซลล์ (X3)
บริษัทฯ คาดการณ์ว่าจะเริ่มผลิตเทคโนโลยีชิป 3D NAND X4 เพื่อตอบสนองการใช้งานหลากหลายรูปแบบที่จะได้ประโยชน์จากศักยภาพที่สูงขึ้นของ X4 ทั้งนี้ เทคโนโลยีชิป 3D NAND รุ่นใหม่ในอนาคต รวมถึงชิป BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ยังถูกคาดหมายว่าจะใช้โครงสร้างแบบ X4 ที่มีประสิทธิภาพสูงด้วยเช่นกัน
เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแฟลชแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (X4) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64 เลเยอร์ หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3การพัฒนาดังกล่าวต่อยอดจากนวัตกรรม X4 สำหรับเทคโนโลยีชิป 2D NAND และมุ่งสานต่อความสำเร็จในการจัดจำหน่ายเชิงพาณิชย์ ปัจจุบัน เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยี X4 เพื่อชิป 3D NAND ด้วยการใช้ประโยชน์จากการควบรวมกิจการที่มีศักยภาพสูง ทั้งกระบวนการผลิตแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ การพัฒนาวิศวกรรมเพื่อสร้างข้อมูล 16 ชั้นในทุกเครือข่ายการจัดเก็บข้อมูลและความเชี่ยวชาญด้านการจัดการระบบหน่วยความจำแฟลชในภาพรวม เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลระดับแถวหน้าของอุตสาหกรรมที่ 768 กิกะบิตต่อชิปหนึ่งตัว หรือเพิ่มขึ้นร้อยละ 50 เมื่อเทียบกับชิป 512 กิกะบิตรุ่นก่อนหน้าซึ่งใช้สถาปัตยการรมแบบ 3 บิตต่อเซลล์ (X3) ทั้งนี้ทาง เวสเทิร์น ดิจิตอล จะทำการโชว์ผลิตภัณฑ์แบบต่อพ่วงและฮาร์ดดิสก์แบบโซลิดสเตท (Solid-state drive) ที่ผลิตด้วยชิปBiCS3 X4 พร้อมกับศักยภาพต่างๆ ของระบบเหล่านี้ที่งาน "แฟลช เมมโมรี่ ซัมมิต (Flash Memory Summit)" ซึ่งจัดขึ้นที่เมืองซานตา คลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกาในเดือนสิงหาคมนี้
"การนำสถาปัตยกรรม X4 มาใช้บน BiCS3 ถือว่าเป็นการพัฒนาครั้งสำคัญของเวสเทิร์น ดิจิตอล เนื่องจากเป็นการแสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำในเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช NAND และยังช่วยให้เราสามารถเพิ่มทางเลือกด้านโซลูชั่นส์การจัดเก็บข้อมูลให้แก่ลูกค้าของเราได้" ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า "สิ่งที่น่าสนใจที่สุดของการประกาศความสำเร็จในวันนี้คือการใช้เทคนิคที่เป็นนวัตกรรมใหม่ในสถาปัตยกรรม X4 ซึ่งเอื้อให้เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 ของเรามีประสิทธิภาพเทียบเท่าชิป BiCS3 X3 การลดช่องว่างด้านประสิทธิภาพระหว่างสถาปัตกรรม X4 และ X3 ถือเป็นคุณสมบัติที่ช่วยสร้างความแตกต่างและมีความสำคัญสำหรับเรา พร้อมกับจะช่วยให้ตลาดเกิดการยอมรับเทคโนโลยี X4 อย่างกว้างขวางมากขึ้นในอีกหลายปีข้างหน้า"
ความสำเร็จครั้งล่าสุดนี้เกิดขึ้นจากมรดกแห่งความเชี่ยวชาญเกือบ 3 ทศวรรษในการเป็นผู้บุกเบิกนวัตกรรมแฟลช รวมถึงเทคโนโลยีแฟลชแบบเซลล์หลายชั้น (MLC) ซึ่งใช้เทคโนโลยีสองบิตต่อเซลล์ (X2) และสามบิตต่อเซลล์ (X3)
บริษัทฯ คาดการณ์ว่าจะเริ่มผลิตเทคโนโลยีชิป 3D NAND X4 เพื่อตอบสนองการใช้งานหลากหลายรูปแบบที่จะได้ประโยชน์จากศักยภาพที่สูงขึ้นของ X4 ทั้งนี้ เทคโนโลยีชิป 3D NAND รุ่นใหม่ในอนาคต รวมถึงชิป BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ยังถูกคาดหมายว่าจะใช้โครงสร้างแบบ X4 ที่มีประสิทธิภาพสูงด้วยเช่นกัน
MY PASSPORT SSD แบรนด์ WD ดีไซน์ใหม่ถอดด้าม พกความเร็วมาเต็มพิกัดพร้อมเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน
เวสเทิร์น ดิจิตอล ได้รับเลือกจากสถาบัน ETHISPHERE ให้เป็นหนึ่งใน “บริษัทที่ดำเนินงานอย่างมีจริยธรรมมากที่สุดในโลกประจำปี 2563”
เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป 3D NAND รุ่นใหม่ล่าสุดภายใต้ชื่อ BiCS5 เวสเทิร์น ดิจิตอล ใช้ความก้าวหน้าด้านเทคโนโลยีและการผลิตมาพัฒนาต่อยอดชิป NAND แบบ 3 มิติ
เวสเทิร์น ดิจิตอล ยกทัพโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่ครบครันเพื่อตอบโจทย์ระบบ NAS ที่มีประสิทธิภาพ
เวสเทิร์น ดิจิตอล ส่ง WD Blue SN550 NVMe SSD ตอบโจทย์คอเทคโนโลยีด้วยความเร็วที่มากกว่า SSD SATA ถึง 4 เท่า
เวสเทิร์น ดิจิตอล จัดทัพการ์ดขนาดจิ๋วความเร็วสูง UHS-I microSD ขนาด 1 TB มาแสดงในงานไทยแลนด์ โมบาย เอ็กซ์โป
“WD Blue SSD” รุ่นใหม่ พร้อมรองรับการใช้งานบน NVMe SSD แบบ NVMe ตัวใหม่มาในรูปโฉมที่บางเฉียบมอบความเร็วที่สูงกว่าแบบ SATA ถึง 3 เท่า
เวสเทิร์น ดิจิตอล เสริมทัพผลิตภัณฑ์กลุ่ม NVMe ระดับดาต้าเซ็นเตอร์ พร้อมรองรับการทำงานบนโครงสร้างพื้นฐานแบบ Next-Gen ตั้งแต่อุปกรณ์ปลายทางไปยังดาต้าเซ็นเตอร์
เวสเทิร์น ดิจิตอล เริ่มทดสอบเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 1.33 เทระบิต 4 บิตต่อเซลล์ 96 เลเยอร์