บีโอไอหนุน ฮานา - ปตท. ผุดโรงงานชิปแห่งแรกของไทย ยกระดับอุตฯ เซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำ

ข่าวประชาสัมพันธ์ »

บีโอไอหนุนบริษัทร่วมทุน ฮานา - ปตท. เดินหน้าแผนลงทุนสร้างโรงงานผลิตชิปชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์แห่งแรกของไทย ภายในสิ้นปีนี้ หลังได้รับอนุมัติจากบีโอไอและออกบัตรส่งเสริมเมื่อเดือนสิงหาคม 2567 ลงทุนเฟสแรก 11,500 ล้านบาท เริ่มผลิตภายใน 2 ปี รองรับการเติบโตของกลุ่ม Power Electronics ทั้ง EV, Data Center และระบบกักเก็บพลังงาน ช่วยยกระดับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำของไทย

บีโอไอหนุน ฮานา - ปตท. ผุดโรงงานชิปแห่งแรกของไทย ยกระดับอุตฯ เซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำ

นายนฤตม์ เทอดสถีรศักดิ์ เลขาธิการคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน (บีโอไอ) เปิดเผยว่า เมื่อวันที่ 20 กันยายน 2567 ได้นำคณะลงพื้นที่จังหวัดลำพูน เพื่อติดตามความคืบหน้าโครงการลงทุนผลิตชิป (Wafer Fabrication) แห่งแรกของประเทศไทย ของบริษัท เอฟทีวัน คอร์เปอเรชั่น จำกัด (FT1) ซึ่งเป็นการร่วมทุนระหว่างบริษัท ฮานา ไมโครอิเล็คโทรนิคส จำกัด (มหาชน) ผู้ผลิตผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์รายใหญ่ และกลุ่ม ปตท. หลังจากที่บีโอไอได้อนุมัติให้การส่งเสริมเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2567 จากนั้นบริษัทได้ดำเนินการออกบัตรส่งเสริมเมื่อเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา บีโอไอได้ทำงานร่วมกับบริษัทฯ อย่างใกล้ชิด เพื่อสนับสนุนการดำเนินการในขั้นตอนต่าง ๆ โดยปัจจุบันอยู่ระหว่างการออกแบบโรงงาน และเตรียมเริ่มก่อสร้างโรงงานในพื้นที่สวนอุตสาหกรรมเครือสหพัฒน์ จังหวัดลำพูน ภายในเดือนธันวาคมของปีนี้ โดยคาดว่าจะใช้เวลาก่อสร้างและติดตั้งเครื่องจักรประมาณ 2 ปี ก่อนจะเริ่มผลิตในช่วงไตรมาสแรกของปี 2570

บริษัท เอฟทีวัน คอร์เปอเรชั่น จำกัด จะจัดตั้งโรงงานผลิตชิปต้นน้ำแห่งแรกในประเทศไทย เงินลงทุนเฟสแรกกว่า 11,500 ล้านบาท โดยรับการถ่ายทอดเทคโนโลยีจากผู้ผลิตชิปชั้นนำของเกาหลีใต้ เพื่อผลิตชิป (Wafer) ชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว โดยมีคุณสมบัติสำคัญที่แตกต่างจากชิปทั่วไปที่ผลิตจากซิลิคอน คือ สามารถทนกระแสไฟฟ้าและความร้อนสูงได้ จึงเหมาะสมสำหรับการใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ควบคุมการแปลงพลังงานไฟฟ้า (Power Electronics) เช่น เครื่อง Server ใน Data Center อุปกรณ์อัดประจุไฟฟ้าสำหรับยานยนต์ไฟฟ้า Inverter ในยานยนต์ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ รวมถึงอุปกรณ์แปลงพลังงานไฟฟ้าที่ใช้ในระบบกักเก็บพลังงาน ซึ่งกลุ่มอุตสาหกรรมเหล่านี้มีแนวโน้มเติบโตสูงในอนาคต

เหตุผลสำคัญของการเลือกประเทศไทยเป็นที่ตั้งของโครงการนี้ เนื่องจากข้อกำหนดหลักของลูกค้า คือ 1) ต้องตั้งในประเทศที่มีความเป็นกลางเพื่อลดความเสี่ยงทางภูมิรัฐศาสตร์ 2) มีต้นทุนที่แข่งขันได้ และ 3) มีขีดความสามารถในการขยายกำลังการผลิตในอนาคต ซึ่งประเทศไทยสามารถตอบโจทย์เหล่านี้ นอกจากนี้ ไทยยังมีโครงสร้างพื้นฐานที่มีคุณภาพสูง ไฟฟ้ามีความเสถียร มีศักยภาพด้านพลังงานสะอาด บุคลากรมีคุณภาพสูง มาตรการสนับสนุนที่ดีจากภาครัฐ อุตสาหกรรมรถยนต์ EV ระบบกักเก็บพลังงาน และ Data Center ที่กำลังเติบโตสูง อีกทั้งโรงงานของฮานาฯ ในไทย มีการประกอบกิจการที่ต่อเนื่องจากการผลิตชิปอยู่แล้ว โดยเฉพาะขั้นตอนการประกอบและทดสอบวงจรรวม (IC Assembly and Testing)

"อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เป็นหัวใจสำคัญของการพัฒนาอุตสาหกรรมเป้าหมายต่าง ๆ ในอนาคต ไม่ว่าจะเป็นยานยนต์ไฟฟ้า อิเล็กทรอนิกส์ ดิจิทัล โทรคมนาคม ระบบอัตโนมัติและหุ่นยนต์ หรืออุปกรณ์การแพทย์ ที่ผ่านมาบทบาทของไทยอยู่ในขั้นกลางน้ำ คือ การรับจ้างประกอบและทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ หรือที่เรียกว่า OSAT โครงการลงทุนผลิตชิปครั้งนี้ จะเป็นก้าวสำคัญที่ส่งผลต่อการยกระดับประเทศไทยไปสู่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำ นอกจากจะช่วยสร้างงานและการพัฒนาบุคลากรด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี ผ่านความร่วมมือในการพัฒนาหลักสูตรกับมหาวิทยาลัยในไทยและการถ่ายทอดองค์ความรู้ด้านเซมิคอนดักเตอร์จากเกาหลีใต้แล้ว ยังจะส่งเสริมผู้ประกอบการไทยให้เข้าสู่ซัพพลายเชนของเซมิคอนดักเตอร์ และนำไปสู่การพัฒนาระบบนิเวศของอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง ซึ่งจะช่วยให้สามารถดึงดูดผู้ผลิตอิเล็กทรอนิกส์ชั้นนำรายอื่น ๆ ให้เข้ามาลงทุนในไทยอีกด้วย" นายนฤตม์ กล่าว


ข่าวนฤตม์ เทอดสถีรศักดิ์+Power Electronicsวันนี้

บีโอไอเคาะลงทุนใหม่ส่งท้ายปีกว่า 2.4 แสนล้าน เลือก 16 โครงการใหญ่เข้า FastPass ปลดล็อกลงทุน

บอร์ดบีโอไอไฟเขียวโครงการลงทุนใหม่ ส่งท้ายปี มูลค่ากว่า 2.4 แสนล้านบาท ครอบคลุมดาต้าเซ็นเตอร์ พลังงานสะอาด นิคมอุตสาหกรรมอัจฉริยะ และการขนถ่ายสินค้าทางเรือ เสริมแกร่งซัพพลายเชนในประเทศ ยกระดับอุตสาหกรรมเหล็ก เน้นเทคโนโลยี มุ่งคุณภาพ เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม พร้อมคัดเลือก 16 โครงการล็อตแรกเข้า Thailand FastPass ปลดล็อกอุปสรรค เดินหน้าสู่ปีแห่งการลงทุน นายนฤตม์ เทอดสถีรศักดิ์ เลขาธิการคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน (บีโอไอ) เปิดเผยว่า เมื่อวันที่ 11 ธันวาคม 2568 ที่ประชุมคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน

คณะกรรมการร่วมภาคเอกชน 3 สถาบัน (กกร.) เข... บีโอไอผนึก กกร. ติดอาวุธผู้ประกอบการไทย อัดเงินกองทุนเพิ่มขีดฯ พร้อมสินเชื่อ ยกระดับธุรกิจ — คณะกรรมการร่วมภาคเอกชน 3 สถาบัน (กกร.) เข้าหารือบีโอไอ บูรณาก...

'มาสด้า' เข้าพบรองนายกฯ เอกนิติ ตอบรับมาต... มาสด้าประกาศลงทุน MHEV 5 พันล้าน ชูไทยฐานส่งออก ขานรับบอร์ดอีวีออกมาตรการสนับสนุน — 'มาสด้า' เข้าพบรองนายกฯ เอกนิติ ตอบรับมาตรการสนับสนุนยานยนต์ไฟฟ้าของบอ...

บีโอไอเผยมาตรการช่วยเหลือผู้ประกอบการในจั... โอไอช่วยผู้ประกอบการน้ำท่วมสงขลา เร่งบรรเทาความเดือดร้อน หนุนฟื้นเศรษฐกิจในพื้นที่ — บีโอไอเผยมาตรการช่วยเหลือผู้ประกอบการในจังหวัดสงขลา หัวเมืองเศรษฐกิจใ...

รองนายกฯ เอกนิติ และเลขาฯ บีโอไอ พบหารือก... สมาพันธ์ธุรกิจญี่ปุ่นเยือนไทย พบ "เอกนิติ-บีโอไอ" เจรจาลงทุนอุตสาหกรรมใหม่ — รองนายกฯ เอกนิติ และเลขาฯ บีโอไอ พบหารือกับคณะนักลงทุนจากสมาพันธ์ธุรกิจญี่ปุ่...

บีโอไอยืนยันยังคงให้สิทธิประโยชน์ด้านภาษี... บีโอไอแจงยังให้สิทธิประโยชน์ภาษี ชงเพิ่ม "เครดิตภาษี" ทางเลือกใหม่รับกติกา OECD — บีโอไอยืนยันยังคงให้สิทธิประโยชน์ด้านภาษีอากร ทั้งการยกเว้นและลดหย่อนเหม...

บีโอไออนุมัติส่งเสริมการลงทุน "การ์มิน" (... บีโอไอไฟเขียว "การ์มิน" ลงทุนกว่า 3 พันล้าน ตั้งฐานผลิตอุปกรณ์อัจฉริยะแห่งแรกในอาเซียน — บีโอไออนุมัติส่งเสริมการลงทุน "การ์มิน" (Garmin) ผู้ผลิตอุปกรณ์อั...

บีโอไอ เผยยอดขอรับการส่งเสริมการลงทุน 9 เ... บีโอไอเผยยอดลงทุน 9 เดือน ทะยาน 1.3 ล้านล้านบาท ต่างชาติเชื่อมั่นศักยภาพไทย ฐานลงทุนระยะยาว — บีโอไอ เผยยอดขอรับการส่งเสริมการลงทุน 9 เดือนแรก ปี 2568 เติ...