AMD เผยโฉมอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชตัวแรกที่ใช้สถาปัตยกรรม MIRRORBITTM

กรุงเทพฯ--14 พ.ค.--พีซี แอนด์ แอสโซซิเอทส์ คอนซัลติ้ง -เทคโนโลยีใหม่ล่าสุดสำหรับหน่วยความจำแฟลช NOR ที่มีเสถียรภาพและความหนาแน่นในการจัดเก็บสูง- AMD เปิดเผยว่าทางบริษัทฯ ได้เริ่มทำการทดสอบตัวอย่างของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช MirrorBit ƒ ตัวแรก โดยคาดว่าจะสามารถวางจำหน่ายหน่วยความจำแฟลช MirrorBit รุ่นอัตราความหนาแน่น 64 เมกะบิต ก่อนสิ้นไตรมาสนี้ เทคโนโลยี MirrorBit เป็นเทคโนโลยีระดับสุดยอดที่ช่วยให้อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชสามารถจัดเก็บข้อมูลได้มากกว่าหน่วยความจำแฟลชมาตรฐานถึง 2 เท่า โดยยังคงสามารถรักษาคุณสมบัติในด้านความทนทาน ประสิทธิภาพ และความแน่นอนในการทำงานของอุปกรณ์ไว้ได้เช่นเดิม AMD มีแผนที่จะวางจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชรุ่น 128 เมกะบิต และ 256 เมกะบิต ภายในช่วงครึ่งหลังของปีนี้ สถาปัตยกรรม MirrorBit ใช้เซลล์หน่วยความจำแฟลชที่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้หลายบิตต่อหนึ่งเซลล์ โดยมีประสิทธิภาพและความแน่นอนในการทำงานในระดับสูงเช่นเดียวกับหน่วยความจำแฟลชมาตรฐานแบบ NOR ทั้งนี้ หน่วยความจำแฟลชแบบ NOR เป็นอุปกรณ์มาตรฐานที่ใช้ในการจัดเก็บและเรียกใช้ซอฟต์แวร์ระบบปฏิบัติการสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จำนวนมากที่ใช้กันอย่างแพร่หลายทั่วโลก ส่วนเทคโนโลยี MirrorBit จะช่วยลดต้นทุนการผลิตสำหรับอุปกรณ์แฟลช NOR ที่มีอัตราความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลสูงมาก อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช MirrorBit จะช่วยให้ลูกค้าสามารถพัฒนาผลิตภัณฑ์ที่ล้ำหน้า เช่น โทรศัพท์เคลื่อนที่, อุปกรณ์ PDA, คอมพิวเตอร์ภายในรถยนต์, อุปกรณ์โทรคมนาคม และเครื่องรับสัญญาณโทรทัศน์ ซึ่งประกอบด้วยฟีเจอร์และฟังก์ชั่นการทำงานที่มีประสิทธิภาพสูง มร. แบร์ทร็องด์ ก็องบู รองประธานส่วนธุรกิจหน่วยความจำของ AMD กล่าวว่า "การนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยี MirrorBit ในครั้งนี้ นับเป็นก้าวย่างสำคัญของส่วนธุรกิจหน่วยความจำของ AMD ด้วยการนำเสนอโครงสร้างต้นทุนที่ล้ำหน้ากว่าถึงสองเจนเนอเรชั่นเมื่อเทียบกับเทคโนโลยีแฟลชมาตรฐานทั่วไป ทำให้หน่วยความจำแฟลช MirrorBit สามารถตอบสนองความต้องการสำหรับตลาดสื่อบันทึกโค้ดโปรแกรมและตลาดสื่อบันทึกข้อมูล" มร. เควิน เพลาส์ รองประธานฝ่ายการตลาดเชิงเทคนิคและการพัฒนาธุรกิจ ส่วนธุรกิจหน่วยความจำของ AMD กล่าวว่า "เทคโนโลยี MirrorBit คือการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญของอุตสาหกรรมหน่วยความจำแฟลช ด้วยการผสมผสานอย่างลงตัวของคุณสมบัติด้านต่างๆ ไม่ว่าจะเป็นอัตราความหนาแน่นในการจัดเก็บสูง ประสิทธิภาพการทำงานที่ยอดเยี่ยม และต้นทุนที่ต่ำ ทำให้แฟลช MirrorBit เป็นโซลูชั่นที่จะช่วยสร้างความได้เปรียบด้านการแข่งขันให้แก่บรรดาผู้ผลิตอุปกรณ์ ทั้งยังช่วยกระตุ้นให้เกิดการสร้างสรรค์ผลิตภัณฑ์ที่แปลกใหม่" มร. ไบรอัน มาทาส รองประธานฝ่ายการวิจัยตลาดของ IC Insights กล่าวว่า "เทคโนโลยี MirrorBit ของ AMD ประกอบสร้างจากสถาปัตยกรรมที่เป็นนวัตกรรม ผ่านการทดสอบที่เข้มงวด และมีโครงสร้างต้นทุนที่ถูกกว่า จึงเชื่อได้ว่าหน่วยความจำแฟลช MirrorBit จะสามารถแจ้งเกิดในตลาด และกลายเป็นคู่แข่งที่น่ากลัวสำหรับหน่วยความจำแฟลชอื่นๆ นอกจากนั้น ยังมีความเป็นไปได้สูงมากที่เทคโนโลยี MirrorBit จะช่วยให้ AMD สามารถดึงส่วนแบ่งตลาดหน่วยความจำแฟลชมาครองได้มากกว่าเดิม" มร. เจอร์รี่ ดั๊กแกน รองประธานบริหารของ Future Electronics ซึ่งเป็นตัวแทนจำหน่ายรายใหญ่ กล่าวว่า "เทคโนโลยี MirrorBit ของ AMD ให้โครงสร้างต้นทุนที่ถูกกว่าโซลูชั่นอื่นใดในอุตสาหกรรม โดยยังคงสามารถรักษาประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยมไว้คงเดิม ทั้งนี้ AMD และ Future Electronics มีวิสัยทัศน์ร่วมกันในการมุ่งที่จะนำเสนอหน่วยความจำแฟลชที่มีคุณภาพและเสถียรภาพในการทำงานสูงสุด เราเชื่อมั่นว่า MirrorBit คือเทคโนโลยีในอนาคตของหน่วยความจำแฟลช และเราพร้อมที่จะอุทิศทรัพยากรในด้านต่างๆ เพื่อให้แน่ใจว่าลูกค้าของเราทั่วทุกมุมโลกจะมีโอกาสได้ใช้ประโยชน์จากผลิตภัณฑ์ MirrorBit" ในเซลล์ MirrorBit ของ AMD โค้ดโปรแกรมหรือข้อมูลจะถูกจัดเก็บไว้ในตำแหน่งเฉพาะที่แยกเป็นอิสระจากกัน อุปกรณ์ MirrorBit ของ AMD ใช้วิธีแยกข้อมูลแต่ละบิตออกจากกันในเชิงภายภาพ และรักษาความสมบูรณ์ของแต่ละบิตไว้ จึงทำให้อุปกรณ์ MirrorBit มีเสถียรภาพและความแน่นอนในการทำงานสูงกว่าอุปกรณ์แบบ Multi-level Cell (MLC) ในรุ่นที่เทียบเคียงกัน ทั้งนี้เพราะอุปกรณ์ MLC จะจัดเก็บประจุในระดับต่างๆ ไว้ในตำแหน่งเดียวกัน ทำให้มีความแน่นอนน้อยกว่า ทั้งยังรันโปรแกรม อ่านหรือลบข้อมูลได้ช้ากว่า กว่า 350,000 ล้านบิตของเทคโนโลยี MirrorBit ได้ผ่านกระบวนการควบคุมคุณภาพของ AMD ซึ่งมีความละเอียดและเข้มงวดทุกขั้นตอน ด้วยเหตุนี้ ผลิตภัณฑ์ของ AMD จึงยังคงเป็นผู้นำในด้านความทนทานและความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูล หน่วยความจำแฟลช MirrorBit ได้รับการออกแบบเป็นพิเศษเพื่อให้สามารถรองรับการเขียนโปรแกรม/การลบได้อย่างน้อย 100,000 รอบ ทั้งยังสามารถเก็บรักษาข้อมูลได้นานถึง 20 ปี ภายใต้อุณหภูมิ 125oC ผลิตภัณฑ์ MirrorBit ยังเป็นโซลูชั่นที่ง่ายแก่การใช้งาน โดยใช้พินแบบเดียวกับหน่วยความจำแฟลช AMD รุ่นเก่า ดังนั้นลูกค้าจึงสามารถใส่อุปกรณ์ MirrorBit แทนที่อุปกรณ์แฟลช AMD ที่มีอยู่ โดยไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนแปลงดีไซน์ของระบบ นอกจากนั้น แพ็กเกจและรูปแบบพินของอุปกรณ์ MirrorBit ยังช่วยให้ลูกค้าสามารถเปลี่ยนย้ายไปสู่แฟลชรุ่น 1 กิกะบิต ได้อย่างสะดวกและง่ายดาย ฟีเจอร์และแพ็กเกจ ผลิตภัณฑ์ MirrorBit รุ่น Am29LV640M และ Am29LV641M ประกอบด้วยฟีเจอร์และคุณสมบัติที่ล้ำหน้า ดังต่อไปนี้: - หน่วยความจำแฟลช 64 เมกะบิต ที่มีอัตราความหนาแน่นในการจัดเก็บสูง - ใช้เพาเวอร์ซัพพลาย 3.0 โวลต์ เพียงตัวเดียว - ความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลแบบ Asynchronous สูงสุด 90 นาโนวินาที - ความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลแบบ Page Mode สูงสุด 25 นาโนวินาที - บัฟเฟอร์ประสิทธิภาพสูงสำหรับการเขียนแบบ 16 word ช่วยเพิ่มความเร็วในการเขียนโปรแกรมสูงสุด 6 ไมโครวินาที - เซคเตอร์ขนาดเล็กเพียง 64kB มีความเร็วในการลบสูงสุด 100 ไมโครวินาที ซึ่งเร็วกว่าถึง 10 เท่า เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์อื่นในรุ่นที่ใกล้เคียงกัน - เก็บรักษาข้อมูลได้อย่างน้อย 20 ปี ที่อุณหภูมิ 125oC - รองรับการลบได้อย่างน้อย 100,000 รอบต่อหนึ่งเซคเตอร์ - มีแพ็กเกจหลากหลายแบบให้เลือก ได้แก่ - 64-Ball Fortified Ball Grid Array Package - 63-Ball Fine-Pitch Ball Grid Array Package - 48-Pin Thin Small Outline Package - 56-Pin Thin Small Outline Package ราคา ผลิตภัณฑ์ MirrorBit รุ่น Am29LV640M กำหนดราคาไว้ที่ 7.95 ดอลลาร์ ต่อ 10,000 ชิ้น รางวัลที่หน่วยความจำแฟลชของ AMD ได้รับ ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชของ AMD ได้รับรางวัลต่างๆ มากมาย ทั้งทางด้านบริการลูกค้า คุณภาพ และเทคโนโลยี นอกจากนั้น ผู้ผลิตรายสำคัญๆ อย่าง Cisco Systems, Nortel Networks, Samsung, Bosch Group และ Volkswagen ได้มอบรางวัลซัพพลายเออร์ยอดเยี่ยมให้แก่ AMD ข้อมูลเกี่ยวกับอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชของ AMD เทคโนโลยีของ AMD ถูกใช้งานโดยผู้ผลิตอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชรายใหญ่ที่สุดของโลกอย่าง Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. (FASL) ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชของ AMD มีอัตราความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลในหลายระดับ ทั้งยังฟีเจอร์ที่หลากหลาย สามารถรองรับความต้องการทุกรูปแบบของตลาดในส่วนต่างๆ ลูกค้าที่ใช้หน่วยความจำแฟลชของ AMD ล้วนเป็นผู้นำในตลาดด้านต่างๆ ไม่ว่าจะเป็นตลาดยานยนต์ ระบบเครือข่าย โทรคมนาคม และอุปกรณ์พกพา AMD นำเสนอผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชหลากหลายประเภท เช่น ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบ Simultaneous Read-Write (SRW) ซึ่งได้รับรางวัลยอดเยี่ยม, อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบ Super Low Voltage 1.8V, อุปกรณ์แบบ Burst-Mode และ Page-Mode นอกจากนั้น AMD ยังได้พัฒนาโปรแกรม Known Good Die (KGD) ซึ่งมีความแข็งแกร่งสูง รวมถึงเทคโนโลยี Negative Gate Erase ซึ่งได้รับการจดสิทธิบัตร และแพ็กเกจแบบ Fine-pitch Ball Grid Array ซึ่งมีเสถียรภาพสูง ข้อมูลเกี่ยวกับ AMD AMD เป็นผู้ผลิตวงจรรวมสำหรับคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและคอมพิวเตอร์ที่ใช้งานบนเครือข่าย รวมทั้งอุปกรณ์สื่อสาร โดยมีฐานการผลิตในสหรัฐอเมริกา ยุโรป ญี่ปุ่น และเอเชีย บริษัทฯ ได้รับการจัดอันดับโดยนิตยสาร Fortune และบริษัทจัดอันดับความน่าเชื่อถือ Standard & Poor ให้เป็นหนึ่งในบริษัทชั้นนำ 500 บริษัทของโลก ผลิตภัณฑ์ของ AMD ได้แก่ ไมโครโพรเซสเซอร์ อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช และชิ้นส่วนต่างๆ ของแผงวงจร สำหรับการใช้งานด้านการสื่อสารและเครือข่าย บริษัทฯ ก่อตั้งขึ้นในปี ค.ศ. 1969 มีสำนักงานใหญ่ตั้งอยู่ที่เมืองซันนี่เวล รัฐแคลิฟอร์เนีย และมีรายได้รวมทั้งสิ้น 3,900 ล้านดอลลาร์ ในปี 2544 (NYSE: AMD) ติดต่อขอข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ มร. วี แยพ ยิน ผู้จัดการการตลาดผลิตภัณฑ์ บริษัทเอเอ็มดี ฟาร์อีส จำกัด โทรศัพท์ (65) 6337 7033 โทรสาร (65) 6338 1611 อีเมล์: [email protected] ประชาสัมพันธ์ข่าวโดย บริษัทพีซี แอนด์ แอสโซซิเอทส์ คอนซัลติ้ง จำกัด สุชาย เฉลิมธนศักดิ์ โทรศัพท์ 0 2971 3711 โทรสาร 0 2521 9030 อีเมล์: [email protected] จบ-- -อน-