AMD เผยเทคโนโลยีใหม่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับทรานซิสเตอร์รุ่นอนาคตถึง 10 เท่า - newswit

กรุงเทพฯ--10 ก.ย.--พีซี แอนด์ แอสโซซิเอทส์ คอนซัลติ้ง -ดีไซน์แบบใหม่มีขนาดเล็กที่สุด เพิ่มคุณภาพของผลิตภัณฑ์ และลดต้นทุนการผลิต- AMD เปิดเผยถึงความสำเร็จในการผลิตทรานซิสเตอร์แบบ double-gate ที่มีขนาดเล็กที่สุดเท่าที่เคยได้รับรายงานจนถึงปัจจุบัน โดยอาศัยเทคโนโลยีมาตรฐานของอุตสาหกรรม ทรานซิสเตอร์ดังกล่าวมีขนาดเพียง 10 นาโนเมตร (ความยาวของ gate) หรือเท่ากับ 10 ส่วนใน 1,000 ล้านส่วนของความยาว 1 เมตร ซึ่งเป็นขนาดที่เล็กกว่าถึง 10 เท่า เมื่อเทียบกับทรานซิสเตอร์ที่มีการผลิตในปัจจุบัน ความก้าวหน้าในการวิจัยและพัฒนาของ AMD ในครั้งนี้ จะช่วยให้สามารถบรรจุทรานซิสเตอร์ได้มากถึง 1,000 ล้านตัวบนชิปที่มีขนาดเท่ากับที่ใช้อยู่ในปัจจุบันซึ่งบรรจุทรานซิสเตอร์ได้สูงสุด 100 ล้านตัว โดยจำนวนทรานซิสเตอร์ที่เพิ่มมากขึ้นจะช่วยเพิ่มขีดความสามารถในการประมวลผลของโพรเซสเซอร์ ทรานซิสเตอร์เป็นสวิตช์เปิด/ปิดขนาดจิ๋วที่ประกอบขึ้นเป็นวงจรรวมของไมโครโพรเซสเซอร์ในปัจจุบัน ส่วนโครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบ double-gate จะช่วยเพิ่มอัตราการส่งกระแสไฟฟ้าผ่านทรานซิสเตอร์เป็น 2 เท่า โดยดีไซน์แบบ Fin Field Effect Transistor (FinFET) จะใช้ประโยชน์จากแผ่น "ครีบ" แนวตั้งที่ทำจากซิลิคอน เพื่อควบคุมการรั่วไหลของกระแสไฟที่ส่งผ่านทรานซิสเตอร์ขณะที่อยู่ในสถานะ "ปิด" ด้วยการผนวกรวมคุณลักษณะทั้งสองประการ ทำให้ชิปรุ่นใหม่ที่ได้มีประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้น และมีรูปทรงที่เล็กที่สุด มร. เครก แซนเดอร์ รองประธานฝ่ายพัฒนาเทคโนโลยีของ AMD กล่าวว่า "การพัฒนาทรานซิสเตอร์มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการสร้างสรรค์ผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับลูกค้าของเรา บริษัทต่างๆ ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดัคเตอร์กำลังทำงานอย่างจริงจัง เพื่อหาหนทางในการพัฒนาทรานซิสเตอร์รุ่นใหม่ที่มีขนาดเล็กลงและมีประสิทธิภาพสูงขึ้น ทั้งยังสามารถทำการผลิตโดยอาศัยกระบวนการที่ใกล้เคียงกับที่กระบวนการผลิตที่เป็นมาตรฐานอุตสาหกรรมที่ใช้อย่างแพร่หลายในปัจจุบัน ทรานซิสเตอร์แบบ FinFET เป็นเครื่องบ่งชี้ว่าเราจะสามารถนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าเดิม โดยยังคงสามารถใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีพื้นฐานที่มีการใช้งานอย่างกว้างขวางในวงการอุตสาหกรรม" AMD ได้ทำการสาธิตภายในห้องปฏิบัติการถึงประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์แบบ Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) ขนาด 10 นาโนเมตร ซึ่งเป็นผลงานการค้นคว้าวิจัยร่วมกันระหว่าง AMD และมหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย วิทยาเขตเบิร์กเลย์ โดยได้รับความช่วยเหลือจาก Semiconductor Research Corporation (SRC) อุปกรณ์ดังกล่าวได้รับการผลิตโดยศูนย์การพัฒนาซับไมครอนของ AMD ดร. ซู-เจ คิง รองศาสตราจารย์ประจำภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้าและวิทยาศาสตร์คอมพิวเตอร์ มหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย วิทยาเขตเบิร์กเลย์ กล่าวว่า "คุณสมบัติที่เหนือกว่าในการควบคุมการรั่วไหลของกระแสไฟ ทำให้ทรานซิสเตอร์ FinFET เป็นตัวเลือกที่ดีเยี่ยมสำหรับการผลิต CMOS ระดับนาโนเมตรรุ่นอนาคต ซึ่งคาดว่าจะสามารถเริ่มต้นการผลิตจริงภายในทศวรรษหน้า คุณลักษณะที่ก้าวล้ำของทรานซิสเตอร์ FinFET คือเครื่องบ่งชี้ถึงศักยภาพและความเป็นไปได้ในการพัฒนาเทคโนโลยี CMOS ที่มีความยืดหยุ่นสูงในอนาคต" AMD และมหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย เตรียมเสนอรายงานที่มีชื่อว่า "FinFET Scaling to 10 nm Gate Length" (การพัฒนาทรานซิสเตอร์ FinFET ให้มีความยาว gate เท่ากับ 10 นาโนเมตร) ในการประชุมอุปกรณ์อิเล็กตรอนสากล (International Electron Devices Meeting หรือ IEDM) ซึ่งจะจัดขึ้นที่นครซานฟรานซิสโก ระหว่างวันที่ 9-11 ธันวาคม 2545 ข้อมูลเกี่ยวกับ AMD เอเอ็มดี เป็นผู้ผลิตวงจรรวมสำหรับคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและคอมพิวเตอร์ที่ใช้งานบนเครือข่าย รวมทั้งอุปกรณ์สื่อสาร โดยมีฐานการผลิตในสหรัฐอเมริกา ยุโรป ญี่ปุ่น และเอเชีย บริษัทฯ ได้รับการจัดอันดับโดยนิตยสาร Fortune และบริษัทจัดอันดับความน่าเชื่อถือ Standard & Poor ให้เป็นหนึ่งในบริษัทชั้นนำ 500 บริษัทของโลก ผลิตภัณฑ์ของเอเอ็มดีได้แก่ ไมโครโพรเซสเซอร์ อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช และชิ้นส่วนต่างๆ ของแผงวงจร สำหรับการใช้งานด้านการสื่อสารและเครือข่าย บริษัทฯ ก่อตั้งขึ้นในปี 2512 มีสำนักงานใหญ่ตั้งอยู่ที่เมืองซันนี่เวล รัฐแคลิฟอร์เนีย และมีรายได้รวมทั้งสิ้น 3,900 ล้านดอลลาร์ ในปี 2544 (NYSE: AMD) ติดต่อขอข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ มร. วี แยพ ยิน ผู้จัดการการตลาดผลิตภัณฑ์ บริษัทเอเอ็มดี ฟาร์อีส จำกัด โทรศัพท์ (65) 6337 7033 โทรสาร (65) 6338 1611 อีเมล์: [email protected] ประชาสัมพันธ์ข่าวโดย บริษัทพีซี แอนด์ แอสโซซิเอทส์ คอนซัลติ้ง จำกัด สุชาย เฉลิมธนศักดิ์ โทรศัพท์ 0 2971 3711 โทรสาร 0 2521 9030 อีเมล์: [email protected] จบ-- -ศน-